KLA光學(xué)輪廓儀在鈣鈦礦電池到半導(dǎo)體制造的超薄膜厚度測(cè)量中，憑借其高精度、非接觸式測(cè)量和多功能性，成為關(guān)鍵工具，具體應(yīng)用如下：
 

　　一、鈣鈦礦太陽(yáng)能電池中的超薄膜厚度測(cè)量
 

　　TCO層測(cè)量：
 

　　重要性：TCO層是鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的重要組成部分，必須在導(dǎo)電性能良好的情況下具有很高的透光率、低電阻和高熱穩(wěn)定性。
 

　　測(cè)量實(shí)例：使用KLA光學(xué)輪廓儀，可以精確測(cè)量玻璃上IZO薄膜的厚度，如6.8nm和37.1nm的樣品。
 

　　ETL層測(cè)量：
 

　　重要性：ETL層在鈣鈦礦太陽(yáng)能電池中具有收集電子、傳輸電子并阻隔空穴以降低電子空穴復(fù)合率等關(guān)鍵作用。其平整度和平滑度直接影響鈣鈦礦層的質(zhì)量。
 

　　測(cè)量實(shí)例：KLA光學(xué)輪廓儀能夠測(cè)量玻璃上SnO2薄膜的厚度，如10.2nm、14.3nm和19.6nm的樣品，為監(jiān)控ETL層的厚度及均勻性提供有效手段。
 

　　金屬電極層測(cè)量：
 

　　重要性：金屬電極層是鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的頂層，其工藝厚度及均勻性的控制對(duì)于降低成本和提高電池性能至關(guān)重要。
 

　　測(cè)量實(shí)例：使用KLA光學(xué)輪廓儀，可以測(cè)量玻璃上金屬鋁薄膜的厚度，如15.0nm、28.0nm、49.8nm和71.1nm的樣品。
 

　　二、半導(dǎo)體制造中的超薄膜厚度測(cè)量
 

　　高精度與重復(fù)性：
 

　　KLA的光學(xué)輪廓儀，如Zeta-20，采用ZDot™技術(shù)，通過點(diǎn)陣共聚焦方式實(shí)現(xiàn)3D形貌+真彩色掃描，Z軸分辨率達(dá)到亞納米級(jí)。這種高精度和重復(fù)性能夠滿足半導(dǎo)體行業(yè)對(duì)膜厚測(cè)量的嚴(yán)格要求。
 

　　非接觸式測(cè)量：
 

　　KLA的光學(xué)輪廓儀采用非接觸式測(cè)量方式，避免了接觸式測(cè)量可能帶來的損傷和誤差。這對(duì)于半導(dǎo)體制造中脆弱的薄膜結(jié)構(gòu)尤為重要。
 

　　多功能性：
 

　　KLA的光學(xué)輪廓儀不僅具備膜厚測(cè)量功能，還能測(cè)量折射率、反射率、透射率等參數(shù)，滿足多樣化的測(cè)量需求。例如，Zeta-20光學(xué)輪廓儀支持從納米級(jí)至毫米級(jí)臺(tái)階測(cè)量，并可繪制樣品上的薄膜厚度分布圖，以確定樣品的均勻性。
 

　　易于操作與維護(hù)：
 

　　KLA的光學(xué)輪廓儀通常具有友好的用戶界面和自動(dòng)化測(cè)量功能，易于操作和維護(hù)。這有助于降低操作難度，提高測(cè)量效率。